直接変調方式で低消費電力、高速動作の小型送信器が可能に 日立製作所中央研究所(所長：福永 泰／以下、日立)は、ビル内や構内に設置されているルータ(データ転送装 置)や伝送装置の間をつなぐIP(インターネット・プロトコル)光通信ネットワーク向けに、GaInNAs(ガリウ ム・インジウム・窒素・砒素)を活性層に用いた半導体レーザ素子を試作し、外部変調器を用いない直接変調 方式で40ギガビット/秒の高速動作に成功しました。 今回、GaInNAsに適した新しい結晶成長技術を確立したことにより、光通信に用いられる長波長帯(1.29マイク ロメートル)での発振において、低しきい電流(4.4ミリアンペア)での40ギガビット/秒の動作を実現しまし た。これにより、直接変調方式の半導体レーザ送信器を用いた高速かつ低消費電力の光送信モジュールの実現 が可能となります。 ※本研究は、独立行政法人情報通信研究機構(NICT)からの委託研究の一環として実施されたものです。 お問い合わせ先 株式会社日立製作所 中央研究所 企画室 [担当：花輪、木下] 〒185-8601 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 電話 042-327-7777(ダイヤルイン) ホームページ http://www.hitachi.co.jp/